WEKO3
アイテム
Optical properties of layered semiconductor GaS doped with As
http://hdl.handle.net/10458/5105
http://hdl.handle.net/10458/51055de6b060-e91d-4967-b9e7-210ad11ddb8d
| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Optical properties of layered semiconductor GaS doped with As | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| キーワード | Photoluminescence, Impurity levels, Emission spectra, Doping, Band models | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄
WEKO
7290
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| 書誌情報 |
Journal of Applied Physics 巻 102, 号 3, 発行日 2007-08 |
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| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||
| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 00218979 | |||||||||||
