WEKO3
アイテム
Effects of gas-flow sequences on the self-limiting mechanisms of GaAsN films grown by atomic layer epitaxy
http://hdl.handle.net/10458/5082
http://hdl.handle.net/10458/5082fc788c8b-1c6b-43f4-8411-a69d5c756ecd
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Effects of gas-flow sequences on the self-limiting mechanisms of GaAsN films grown by atomic layer epitaxy | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | Atomic layer epitaxy, Dilute nitrides, GaAsN X-ray diffraction, Self-limiting mechanism | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
鈴木, 秀俊
× 鈴木, 秀俊× 貞任, 萌× 原口, 智宏× 山内, 俊浩× 尾関, 雅志× 碇, 哲雄× 貞任, 萌× 原口, 智宏× 山内, 俊浩 |
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| 書誌情報 |
Thin Solid Films 巻 540, p. 79-83, 発行日 2013-07 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Elsevier | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00406090 | |||||
