WEKO3
アイテム
Nitrogen-induced localized level observed by photoreflectance in GaAsN thin films grown by chemical beam epitaxy
http://hdl.handle.net/10458/5080
http://hdl.handle.net/10458/508002e88a3e-376e-42a4-af1f-774f03ecebde
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Nitrogen-induced localized level observed by photoreflectance in GaAsN thin films grown by chemical beam epitaxy | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | A1. Photoreflectance, A3. Chemical beam epitaxy, B1. Dilute nitride | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
鈴木, 秀俊
× 鈴木, 秀俊× 鈴木, 章生× 福山, 敦彦× 碇, 哲雄× 鈴木, 章生 |
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| 書誌情報 |
Journal of Crystal Growth 巻 384, p. 5-8, 発行日 2013-12 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Elsevier | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00220248 | |||||
