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真空紫外光CVD法によるシリコン系薄膜作成に関する研究
http://hdl.handle.net/10458/948
http://hdl.handle.net/10458/948ec94dc37-6e57-408e-8c99-d934271a0839
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
DT_歳川清彦.pdf (4.4 MB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2007-11-22 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 真空紫外光CVD法によるシリコン系薄膜作成に関する研究 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| 著者 |
歳川, 清彦
× 歳川, 清彦 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 本論文は、著書が宮崎大学大学院工学研究科物質エネルギー工学専攻後期課程在学中に行った真空紫外光CVD法によるシリコン系薄膜作成に関する研究成果をまとめたものである。 著者は、工業的に量産され利用しやすいSiH4を原料に用い、高効率で直接励起により光分解できるAr2エキシマランプ(波長126min)を新しく用いることで、半導体製造プロセスとして重要な2種の薄膜(α-SiおよびSiNx)の成膜技術の開発を行った。 まず、本研究では、FPDのTFT形成などに使用されるα-Si薄膜の作製を試み、原理的には室温～150℃という半導体プロセスにおいてきわめて低温で薄膜作製を行えることを明らかにした。また、高密度ICや有機EL等バリア膜としてしようされるSiNx薄膜をさらに2つの方法で作製する技術を開発した。一つ目の方法では、基板表面での光化学反応を有効利用し、予めα-Si薄膜を形成したあと、NH3ガスを流しながらAr2エキシマランプを照射し窒化する技術、もう一つの方法は、気相での光化学反応を利用し、原料にSiH4とNH3を用いて、真空紫外光CVD法により薄膜を低温で作製する技術の開発を行った。 本論文は、4章および謝辞で構成されている。 第1章は序論であり、薄膜作成技術の低温・低ダメージプロセスの必要性を述べ、本研究の意義を示した。 第2章では、原料のSiH4をAr2エキシマランプ光の直接励起により、光化学反応を起させ、150℃の低温でα-Si薄膜の作製を行えることを明らかにし、Ar2エキシマランプを使うことの有効性を示した。 第3章では、第2章で得られた知見を発展させ、SiNx薄膜の作製を2つの方法で行い、どちらの方法でも室温～100℃の低温で作製できることを明らかにした。 第4章は結論であり、以上の3章で得られた成果をまとめ、本研究の総括を行った。 |
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| 言語 | ja | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 宮崎大学大学院工学研究科博士論文 | ||||||
| 内容記述 | ||||||
| ja | ||||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
