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分子線エピタキシ一法によるGaAs(001)上へのCaSrF2絶縁膜成長と評価
http://hdl.handle.net/10458/2394
http://hdl.handle.net/10458/2394112b14ee-ffb8-4bcf-bbcc-bbfc3d58d969
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00005629999.pdf (3.2 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2009-10-30 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 分子線エピタキシ一法によるGaAs(001)上へのCaSrF2絶縁膜成長と評価 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | MBE Growth and Characterization of CaSrF2 Insulator on GaAs(001) | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | GaAs, CaSrF2, MIS, MBE | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | ブンシセン エピタキシーホウ ニヨル GaAs(001) ジョウ エノ CaSrF2 ゼツエンマク セイチョウ ト ヒョウカ | |||||
| 著者 |
上村, 彦樹
× 上村, 彦樹× 尾関, 雅志× 前田, 幸治× Uemura, Hiroki |
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| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 38, p. 151-158, 発行日 2009-09-30 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
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Cite as
上村, 彦樹, 尾関, 雅志, 前田, 幸治, Uemura, Hiroki, 2009, 分子線エピタキシ一法によるGaAs(001)上へのCaSrF2絶縁膜成長と評価: 宮崎大学工学部, 151–158 p.
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