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RFスパッタ法により作成したIrSnO2薄膜の基板温度依存性
http://hdl.handle.net/10458/3195
http://hdl.handle.net/10458/319549a943a8-6f5d-4042-abc3-5228b05c0c79
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
engineering39-12.pdf (1.0 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2011-02-25 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | RFスパッタ法により作成したIrSnO2薄膜の基板温度依存性 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Effects of Substrate Temperature of IrSnO2 Films Prepared by R. F. Sputtering | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | IrSnO2, Electrochromic, R. F. sputtering | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | RFスパッタホウ ニヨリ サクセイシタ IrSnO2 ハクマク ノ キバン オンド イゾンセイ | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 著者 |
原田, 瞬
× 原田, 瞬× 河野, 慶彦× 清, 文博× 吉野, 賢二× 碇, 哲雄× Harada, Shun× Kawano, Yoshihiko× Sei, Fumihiro× Ikari, Tetuo |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | IrSnOx thin film has been respected as electrochromic. We studied physical property of IrSnOx thin films were deposited onto glass substrate by reactive R.F. sputtering using 2 kinds of SnO2 and Ir targets. Substrate temperature was ranging from room-temperature to 200 ℃. X-ray diffraction pattern indicated crystallization at 100 ℃, and identified IrSnO2 thin films as tetragonal rutile type structure. It was assumed that the changing valence of IrOx could be enhanced to a transmittance and electrical resistivity. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 39, p. 71-76, 発行日 2010-09-30 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
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Cite as
原田, 瞬, 河野, 慶彦, 清, 文博, 吉野, 賢二, 碇, 哲雄, Harada, Shun, Kawano, Yoshihiko, Sei, Fumihiro, Ikari, Tetuo, 2010, RFスパッタ法により作成したIrSnO2薄膜の基板温度依存性: 宮崎大学工学部, 71–76 p.
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