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  1. 工学部
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  3. 宮崎大學工學部紀要
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  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 41号

Offset-Free Wide-Input-Range Flipped Voltage Followers Using Depletion MOSFETs and FG-MOSFETs

http://hdl.handle.net/10458/4090
http://hdl.handle.net/10458/4090
016e522b-50de-4e54-b311-18e77c882ec9
名前 / ファイル ライセンス アクション
engineering41_29-34.pdf engineering41_29-34.pdf (759.8 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2012-10-25
タイトル
タイトル Offset-Free Wide-Input-Range Flipped Voltage Followers Using Depletion MOSFETs and FG-MOSFETs
言語 en
言語
言語 eng
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Voltage Follower, Flipped Voltage Follower, Wide Input Range, Offset Voltage, Analog Circuits
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 Abidin, Zainul

× Abidin, Zainul

WEKO 14872

en Abidin, Zainul

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淡野, 公一

× 淡野, 公一

WEKO 7152
e-Rad_Researcher 50260740

ja 淡野, 公一

ja-Kana タンノ, コウイチ

en Tanno, Koichi


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田村, 宏樹

× 田村, 宏樹

WEKO 7150
e-Rad_Researcher 90334713

ja 田村, 宏樹

ja-Kana タムラ, ヒロキ

en Tamura, Hiroki


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 In this paper, offset-free and wide-input-range voltage followers are presented. The conventional voltage follower has two disadvantages; narrow input range and offset voltage. In this paper, these problems are solved. The former problem is modified by adding two MOSFETs in the diode-connecting path. The latter problem is modified by using depletion MOSFETs or floating-gate MOSFETs (FG-MOSFETs). Using these devices, the threshold voltage can be eliminated. The circuits are simulated in a 0.25 μm CMOS process. Simulation results demonstrate that input range of the proposed circuit is 48.9% wider than the conventional one. Depletion MOSFETs and FG-MOSFETs are used in the proposed circuit to decrease the offset voltage drastically. The depletion MOSFETs and FG-MOSFETs decrease the offset voltage drastically. The input ranges of the depletion MOSFETs scheme and FG-MOSFETs scheme are enlarged 54.5% and 140.6% respectively from the conventional one. In the FG-MOSFETs implementation, the output voltage is almost similar with the theoretical one and the gain is ≈ 0.5.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 41, p. 29-34, 発行日 2012-07-30
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-30 00:06:28.917559
Ver.1 2023-05-15 12:12:34.589486
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Cite as

Abidin, Zainul, 淡野, 公一, 田村, 宏樹, 2012, Offset-Free Wide-Input-Range Flipped Voltage Followers Using Depletion MOSFETs and FG-MOSFETs: 宮崎大学工学部, 29–34 p.

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