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量子井戸太陽電池におけるキャリアの非発光再結合および輸送特性
http://hdl.handle.net/10458/4969
http://hdl.handle.net/10458/4969d50bd882-828a-4710-893f-459342ff9983
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
engineering43_17-20.pdf (574.6 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2014-09-03 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 量子井戸太陽電池におけるキャリアの非発光再結合および輸送特性 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Non-Radiative Carrier Recombination and Carrier Transport Properties in the Multiple Quantum Well Solar Cell | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | multi-junction solar cells, multiple quantum well solar cells, GaAs, piezoelectric photothermal, non-radiative recombination | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | リョウシ イド タイヨウデンチ ニオケル キャリア ノ ヒハッコウ サイケツゴウ オヨビ ユソウ トクセイ | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 著者 |
杉本, 泰士
× 杉本, 泰士× 相原, 健人× 杉山, 正和× 中野, 義昭× 福山, 敦彦× 碇, 哲雄× Sugimoto, Taishi× Aihara, Taketo× Sugiyama, Masakazu |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | To investigate the carrier generation, thermal escape, and recombination processes in the strain-balanced InGaAs/GaAsP multiple quantum well (MQW) structure into GaAs p-i-n solar cell, the frequency-dependent piezoelectric photothermal (PPT) method was adopted. Since the thermal diffusion length of the signal source decreases with increasing the chopping frequency, we investigated the depth profile of non-radiative recombination carrier loss. Two distinctive peaks were observed in the lower photon energy region below the bandgap of GaAs (Eg, 1.42 eV at RT) for the MQW structure inserted sample. They were caused by the excitonic absorption associated with the inter-subband transitions within the MQWs. Although PPT signal intensity at above the bandgap of GaAs decreased with increasing the chopping frequency, the signal intensity at MQW remained even at high frequency. These features are explainable in terms that photoexcited carriers thermally escape from MQW and diffuse to the GaAs substrate. Diffused carriers then recombine at GaAs substrate non-radiatively. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 43, p. 17-20, 発行日 2014-07-31 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
