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Electrical properties of layer semiconductor p-GaSe doped with Cu
http://hdl.handle.net/10458/5300
http://hdl.handle.net/10458/5300e0470326-c580-4eb7-a759-46996ebc0f97
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Electrical properties of layer semiconductor p-GaSe doped with Cu | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | Copper, Valence bands, Doping, Electrical properties, Electron densities of states | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄× 中島, 寛× 中島, 寛 |
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| 書誌情報 |
Journal of Applied Physics 巻 80, 号 8, p. 4779-4781, 発行日 1996-10-15 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00218979 | |||||
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Cite as
Shigetomi, Shigeru, 碇, 哲雄, 中島, 寛, 中島, 寛, 1996, Electrical properties of layer semiconductor p-GaSe doped with Cu: American Institute of Physics, 4779–4781 p.
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