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Characterization of phosphorus in layer semiconductor GaSe
http://hdl.handle.net/10458/5288
http://hdl.handle.net/10458/528803415bd5-a8a0-460e-b263-4bcb5a1b4673
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Characterization of phosphorus in layer semiconductor GaSe | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | Bulk semiconductor, Impurity level, GaSe | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄× 中島, 寛× 中島, 寛 |
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| 書誌情報 |
Journal of Luminescence 巻 79, 号 2, p. 79–84-79–84, 発行日 1998-08-28 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Elsevier Science | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00222313 | |||||
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Cite as
Shigetomi, Shigeru, 碇, 哲雄, 中島, 寛, 中島, 寛, 1998, Characterization of phosphorus in layer semiconductor GaSe: Elsevier Science, 79–84-79–84 p.
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