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Impurity levels in the layered semiconductor p-GaSe doped with group V elements As, Bi and Sb
http://hdl.handle.net/10458/5132
http://hdl.handle.net/10458/51322cf9b90e-f291-482f-9ca6-5e8f71e833c0
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Impurity levels in the layered semiconductor p-GaSe doped with group V elements As, Bi and Sb | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | 71.55.Ht, 78.55.Hx | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄 |
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| 書誌情報 |
physica status solidi (b) 巻 242, 号 15, p. 3123–3128-3123–3128, 発行日 2005-12 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 03701972 | |||||
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Cite as
Shigetomi, Shigeru, 碇, 哲雄, 2005, Impurity levels in the layered semiconductor p-GaSe doped with group V elements As, Bi and Sb: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 3123–3128-3123–3128 p.
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