WEKO3
アイテム
Impurity levels in the layered semiconductor p-GaSe doped with group V elements As, Bi and Sb
http://hdl.handle.net/10458/5132
http://hdl.handle.net/10458/51322cf9b90e-f291-482f-9ca6-5e8f71e833c0
| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Impurity levels in the layered semiconductor p-GaSe doped with group V elements As, Bi and Sb | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| キーワード | 71.55.Ht, 78.55.Hx | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄
WEKO
7290
|
|||||||||||
| 書誌情報 |
physica status solidi (b) 巻 242, 号 15, p. 3123–3128-3123–3128, 発行日 2005-12 |
|||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA | |||||||||||
| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 03701972 | |||||||||||