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  1. 工学部
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 36号

MOSFETの弱反転領域を用いた4象限・低電圧・低消費電力乗算器とCNNセルへの応用

http://hdl.handle.net/10458/838
http://hdl.handle.net/10458/838
caca081f-5674-4668-8016-8a2ded57be0f
名前 / ファイル ライセンス アクション
KJ00004682868.pdf KJ00004682868.pdf (1.3 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2007-10-30
タイトル
タイトル MOSFETの弱反転領域を用いた4象限・低電圧・低消費電力乗算器とCNNセルへの応用
言語 ja
タイトル
タイトル Low-voltage and low-power four-quadrant multiplier using MOSFETs operated in the weak inversion region and application to CNN cells
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 four-quadrant multiplier, weak inversion region, low-power, low-voltage, Cellular neural network's(K)
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
その他(別言語等)のタイトル
その他のタイトル MOSFET ノ ジャク ハンテン リョウイキ オ モチイタ 4ショウゲン・テイデンアツ・テイショウヒ デンリョク ジョウサンキ ト CNN セル エノ オウヨウ
言語 ja-Kana
著者 吉冨, 裕

× 吉冨, 裕

WEKO 12829

ja 吉冨, 裕

ja-Kana ヨシトミ, ユタカ

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田中, 寿

× 田中, 寿

WEKO 12830

田中, 寿

ja-Kana タナカ, ヒサシ

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淡野, 公一

× 淡野, 公一

WEKO 7152
e-Rad_Researcher 50260740

ja 淡野, 公一

ja-Kana タンノ, コウイチ

en Tanno, Koichi


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田村, 宏樹

× 田村, 宏樹

WEKO 7150
e-Rad_Researcher 90334713

ja 田村, 宏樹

ja-Kana タムラ, ヒロキ

en Tamura, Hiroki


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外山, 貴子

× 外山, 貴子

WEKO 12078

ja 外山, 貴子

ja-Kana トヤマ, タカコ

en Toyama, Takako

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Yoshitomi, Yutaka

× Yoshitomi, Yutaka

WEKO 12834

en Yoshitomi, Yutaka

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Tanaka, Hisashi

× Tanaka, Hisashi

WEKO 12835

en Tanaka, Hisashi

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The thesis describes the technique of the LSI realization for a Cellular neural network's (CNN). One of the serious problems is the increase of power consumption. Because many multipliers are used in CNN cells, the relization of very low power multiplier is most effective solution for the problem of the power consumption described previously.
In this thesis, a low-voltage and low-power multiplier using MOSFET's operated in the weakinversion region is proposed. In the weak inversion region, the drain-to-source current of MOSFET is very small as compared with a strong reversal region, and is known that the exponential characteristic is shown. I design the four-quadrant multiplier based on the characteristics and tranlinear principle. Finally, the CNN cell using the proposed circuits is designed and is evaluated using HSPICE simulation. The results of the evaluation are shown in this thesis.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 36, p. 65-72, 発行日 2007-08-30
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-29 23:37:34.203984
Ver.1 2023-05-15 11:18:33.814303
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Cite as

吉冨, 裕, 田中, 寿, 淡野, 公一, 田村, 宏樹, 外山, 貴子, Yoshitomi, Yutaka, Tanaka, Hisashi, 2007, MOSFETの弱反転領域を用いた4象限・低電圧・低消費電力乗算器とCNNセルへの応用: 宮崎大学工学部, 65–72 p.

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