WEKO3
アイテム / 原子層エピタキシー法によって作製されたGaAsN薄膜の作製条件の違いが結晶性に与える影響のラマン分光法による評価 / p113
p113
| ファイル | ライセンス |
|---|---|
 p113.pdf (1.2 MB)
sha256
b47b2802cd09a0d26d681053e1ba829827e81b561bd9bcd755e7d3ebf1ac5161
|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ファイル名 | p113.pdf | |||||
| 本文URL | https://miyazaki-u.repo.nii.ac.jp/record/5213/files/p113.pdf | |||||
| ラベル | 本文 | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 1.2 MB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
|---|