WEKO3
アイテム
New aspects for investigation of carrier transition through deep levels in GaAs by a piezoelectric photoacoustic technique
http://hdl.handle.net/10458/5415
http://hdl.handle.net/10458/5415a16f422b-504f-43f8-980a-9e88d22d3716
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | New aspects for investigation of carrier transition through deep levels in GaAs by a piezoelectric photoacoustic technique | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
福山, 敦彦
× 福山, 敦彦× 明石, 義人× 碇, 哲雄× 末光, 眞希× Iwamoto, M× 末光, 眞希 |
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| 書誌情報 |
Proceedings. Ultrasonics Symposium, 1999 巻 1, p. 629-632, 発行日 1999-10 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | IEEE | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 10510117 | |||||
