WEKO3
アイテム
Carrier recombination mechanism at SiO_2/Si interface studied by a photo-thermal and a surface photo-voltage spectroscopy
http://hdl.handle.net/10458/5413
http://hdl.handle.net/10458/5413a13585ab-c12b-474f-acfe-f93d96648cc7
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Carrier recombination mechanism at SiO_2/Si interface studied by a photo-thermal and a surface photo-voltage spectroscopy | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
境, 健太郎
× 境, 健太郎× 末光, 眞希× 福山, 敦彦× 碇, 哲雄× Saisho, T× Hayashi, H× Sato, S× 末光, 眞希 |
|||||
| 書誌情報 |
Semiconductor Device Research Symposium, 2005 International p. 414-415, 発行日 2005-12 |
|||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | IEEE | |||||
