WEKO3
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Investigation of EL6 Deep Level in Semi-Insulating GaAs by Means of a Temperature Dependence of Piezoelectric Photothermal Signal
http://hdl.handle.net/10458/5219
http://hdl.handle.net/10458/5219f1e25584-9e8f-4943-94a6-8f86151dd97a
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Investigation of EL6 Deep Level in Semi-Insulating GaAs by Means of a Temperature Dependence of Piezoelectric Photothermal Signal | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
多田, 晋
× 多田, 晋× 佐藤, 庄一郎× 伊藤, 敦史× 福山, 敦彦× 碇, 哲雄× 多田, 晋× Sato, Shoichiro× Ito, Atsushi |
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| 書誌情報 |
Japanese Journal of Applied Physics 巻 41, 号 5B, p. 3358-3360, 発行日 2002-05 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | The Japan Society of Applied Physics | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 応用物理学会 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00214922 | |||||
