WEKO3
アイテム
Distribution of Substitutional Nickel Atoms in Dislocation-Free Silicon Studied by Deep Level Transient Spectroscopy and Theoretical Analyses Based on the Dissociative Mechanism of Diffusion
http://hdl.handle.net/10458/5205
http://hdl.handle.net/10458/5205316ec93b-a638-4ca1-ae47-86e12fdff7c1
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Distribution of Substitutional Nickel Atoms in Dislocation-Free Silicon Studied by Deep Level Transient Spectroscopy and Theoretical Analyses Based on the Dissociative Mechanism of Diffusion | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
田中, 秀司
× 田中, 秀司× 碇, 哲雄× 北川, 興× Tanaka, Shuji× 北川, 興 |
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| 書誌情報 |
Japanese Journal of Applied Physics 巻 41, 号 11A, p. 6305-6309, 発行日 2002-11 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | The Japan Society of Applied Physics | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 応用物理学会 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00214922 | |||||
