WEKO3
アイテム
Piezoelectric Photothermal and Surface Photo-Voltage Studies of Carrier Recombination Mechanism at Interface of Si p–n Junction
http://hdl.handle.net/10458/5106
http://hdl.handle.net/10458/5106a22ec174-d2cd-42bd-8510-27602737c6c1
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Piezoelectric Photothermal and Surface Photo-Voltage Studies of Carrier Recombination Mechanism at Interface of Si p–n Junction | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
内堀, 裕樹
× 内堀, 裕樹× 中馬, 博樹× 王, 萍× 福山, 敦彦× 碇, 哲雄× Uchibori, Yuki× Chuman, Hiroki× Hayashi, Hiromitsu× Sonoda, Shusei× Wang, Ping |
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| 書誌情報 |
Japanese Journal of Applied Physics 巻 46, 号 7B, p. 4636-4641, 発行日 2007-07 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | The Japan Society of Applied Physics | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 応用物理学会 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00214922 | |||||
