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  1. 工学部
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  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 42号

Si(111)表面へのIII族供給によるGaAs薄膜中の回転双晶軽減

http://hdl.handle.net/10458/4695
http://hdl.handle.net/10458/4695
09896a40-def0-4c4b-9c12-ba2d6a596cfd
名前 / ファイル ライセンス アクション
engineering19-22.pdf engineering19-22.pdf (727.4 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2013-12-24
タイトル
タイトル Si(111)表面へのIII族供給によるGaAs薄膜中の回転双晶軽減
言語 ja
タイトル
タイトル Reduction of Rotational Twin Formation in GaAs by Irradiation of Group III Atoms to Si (111) Substrate
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Rotational twin formation in GaAs, GaAs on Si, molecular beam epitaxy, hetero-epitaxy
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
その他(別言語等)のタイトル
その他のタイトル Si(111) ヒョウメン エノ IIIゾク キョウキュウ ニヨル GaAs ハクマクチュウ ノ カイテン ソウショウ ケイゲン
著者 伊東, 大樹

× 伊東, 大樹

WEKO 24420

ja 伊東, 大樹


ja-Kana イトウ, ダイキ

en Ito, Daiki

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太刀掛, 弘晃

× 太刀掛, 弘晃

WEKO 15150

ja 太刀掛, 弘晃

ja-Kana タチカケ, ヒロアキ

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鈴木, 秀俊

× 鈴木, 秀俊

WEKO 14196
e-Rad_Researcher 00387854

ja 鈴木, 秀俊
宮崎大学

ja-Kana スズキ, ヒデトシ

en Suzuki, Hidetoshi
University of Miyazaki

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福山, 敦彦

× 福山, 敦彦

WEKO 7289
e-Rad_Researcher 10264368

ja 福山, 敦彦
宮崎大学

ja-Kana フクヤマ, アツヒコ

en Fukuyama, Atsuhiko
University of Miyazaki

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碇, 哲雄

× 碇, 哲雄

WEKO 7290
e-Rad_Researcher 70113214

ja 碇, 哲雄
宮崎大学

ja-Kana イカリ, テツオ

en Ikari, Tetsuo
University of Miyazaki

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伊東, 大樹

× 伊東, 大樹

WEKO 24420

ja 伊東, 大樹


ja-Kana イトウ, ダイキ

en Ito, Daiki

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Tachikake, Hiroaki

× Tachikake, Hiroaki

WEKO 15155

en Tachikake, Hiroaki

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 We tried to reduce the domain of rotational twin in GaAs layer grown on Si (111) substrate by pre-evaporation of group III atoms before the layer growth. Ga and In atoms were used as pre-evaporating materials. GaAs layers were grown by conventional molecular beam method under various V/III ratios. By Ga pre-evaporation method, the domain of rotational twin increased. In contrast, the twin domain decreased by In pre-evaporation method. We found that the In pre-evaporation method was effective at V/III ratios between 30 and 100.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 42, p. 19-22, 発行日 2013-08-30
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 05404924
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00732558
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.2 2023-07-30 00:11:11.238307
Ver.1 2023-05-15 10:52:53.892032
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