WEKO3
アイテム
MOSトランジスタのバックゲート端子を用いた高精度サンプル・ホールド回路の検討
http://hdl.handle.net/10458/4724
http://hdl.handle.net/10458/4724b85eead3-e8ad-4860-9bc7-6c595d8fb1fb
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 2013-12-26 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | MOSトランジスタのバックゲート端子を用いた高精度サンプル・ホールド回路の検討 | |||||
言語 | ja | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Consideration of High Performance Sample-and-Hold Circuit Using Backgate Terminal of MOS Transistor | |||||
言語 | en | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
その他(別言語等)のタイトル | ||||||
その他のタイトル | MOS トランジスタ ノ バックゲート タンシ オ モチイタ コウセイド サンプル ホールド カイロ ノ ケントウ | |||||
著者 |
宮川, 昌士
× 宮川, 昌士× 酒井, 駿介× 田村, 宏樹× 外山, 貴子× 淡野, 公一× Miyagawa, Masashi× Sakai, Syunsuke |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | In this paper, we propose new sample-and-hold circuits, which are low ON-resistance by using backgate terminal of MOSFET. In the proposed circuits, the backgate terminal is used as a control terminal to change the threshold voltage (V_T) of MOSFET. In detail, the backgate is applied to a pulse at the moment of turning on. Using this technique, we can achieve the low ON-resistance. From the evaluation using HSPICE simulation with the 0.35μm CMOS processes parameters, we could confirm that value of ON-resistance decrease about 13% compared with conventional one. | |||||
言語 | en | |||||
書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 42, p. 127-134, 発行日 2013-08-30 |
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出版者 | ||||||
出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
言語 | ja | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
言語 | en | |||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 05404924 | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA00732558 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |