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N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較
http://hdl.handle.net/10458/3189
http://hdl.handle.net/10458/3189146061ee-04c3-40bf-ab12-c9dffa6ee4e1
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
engineering39-06.pdf (653.6 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2011-02-25 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Comparison of the Band Structure Change by the Nitrogen Content in GaAsN Film with the BAC Model | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | GaAsN, Four-Junction Solar Cells, Photoreflectance spectroscopy, Band anti-crossing model | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | N テンカ ニヨル GaAsN ハクマク ノ バンド コウゾウ ヘンカ ト バンド ハンコウサ モデル ノ ヒカク | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 著者 |
牟田口, 和真
× 牟田口, 和真× 福山, 敦彦× 碇, 哲雄× Mutaguchi, Kazumasa |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | The temperature dependence of the band gap energy estimated from the photorefrectance (PR) spectrum of GaAsN film grown on GaAs substrate was studied and compared with the band anti-crossing (BAC) model. At room temperature, band gaps were good agreement with predictions of BAC model. At low temperatures, however, band gaps followed a slightly-different temperature dependence, being lower in energy than that of BAC model. Good fit was obtained when we assumed that the temperature dependence of the energy of the Nitrogen level, -dEN/dT was not constant. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要 en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki 巻 39, p. 29-33, 発行日 2010-09-30 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 宮崎大学工学部 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, University of Miyazaki | |||||
| 言語 | en | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 05404924 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00732558 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
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Cite as
牟田口, 和真, 福山, 敦彦, 碇, 哲雄, Mutaguchi, Kazumasa, 2010, N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較: 宮崎大学工学部, 29–33 p.
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