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  1. 工学部
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  1. 工学部
  2. 紀要掲載論文 (工学部)
  3. 宮崎大學工學部紀要
  4. 54号

量子井戸太陽電池吸収層に挿入された InGaAs/GaAs/GaAsP 圧縮歪超格子におけるキャリア吸収および取り出し過程のシミュレーション解析

https://doi.org/10.34481/0002001942
https://doi.org/10.34481/0002001942
a3279d0a-5dc5-4b14-9799-52870154ce89
名前 / ファイル ライセンス アクション
宮大工学部紀要54号_p53-57.pdf 本文 (1.2 MB)
アイテムタイプ 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2025-12-03
タイトル
タイトル 量子井戸太陽電池吸収層に挿入された InGaAs/GaAs/GaAsP 圧縮歪超格子におけるキャリア吸収および取り出し過程のシミュレーション解析
言語 ja
タイトル
タイトル Simulation Analysis of Carrier Recombination Processes in InGaAs/GaAs/GaAsP Compressively Strained Superlattice Inserted in Quantum Well Solar Cell Absorbing Layer
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 superlattice
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 quantum-well solar cells
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 compressively strain
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
ID登録
ID登録 10.34481/0002001942
ID登録タイプ JaLC
アクセス権
アクセス権 open access
著者 武田, 奈々

× 武田, 奈々

ja 武田, 奈々
宮崎大学

ja-Kana タケタ, ナナ

en Taketa, Nana

Search repository
浅見, 明太

× 浅見, 明太

ja 浅見, 明太
東京大学

ja-Kana アサミ, メイタ

en Asami, Meita

Search repository
杉山, 正和

× 杉山, 正和

ja 杉山, 正和
東京大学

ja-Kana スギヤマ, マサカズ

en Sugiyama, Masakazu

Search repository
原田, 知季

× 原田, 知季

ja 原田, 知季
宮崎大学

ja-Kana ハラダ, トモキ

en Harada, Tomoki

Search repository
碇, 哲雄

× 碇, 哲雄

WEKO 7290
e-Rad_Researcher 70113214

ja 碇, 哲雄
宮崎大学

ja-Kana イカリ, テツオ

en Ikari, Tetsuo
University of Miyazaki

Search repository
福山, 敦彦

× 福山, 敦彦

WEKO 7289
e-Rad_Researcher 10264368

ja 福山, 敦彦
宮崎大学

ja-Kana フクヤマ, アツヒコ

en Fukuyama, Atsuhiko
University of Miyazaki

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 InGaAs/GaAs/GaAsP strain-balanced superlattice (SB-SL) is a superlattice structure with high CCE (carrier collection efficiency) due to the relaxation of lattice mismatch. Based on this structure, InGaAs/GaAs/GaAsP compressively strained superlattice (CS-SL) was fabricated by combining the concepts of strain relaxation and compressive strain. This structure has three InGaAs well layers per period, resulting in a high density per unit length. In addition, the structure can maintain sufficient optical absorption even with a thin SL layer thickness, while minimizing the effect of compressive strain on crystal quality. In this study, we calculated the band structure of the CS-SL sample using nextnano, a software program that can simulate samples with quantum structures. As a result, different transition energies were calculated for each of the three wells. The distribution of electrons in the three quantum wells was also biased. Photoluminescence (PL) measurements were also performed on the CS-SL sample to calculate the transition energies. Two different peaks were
identified and attributed to the transition energies calculated by theoretical calculations. In addition, the distributions of electrons and holes in the quantum wells were calculated for different numbers of wells in a period, and the validity of the number of wells in the CS-SL structure was discussed.
言語 en
書誌情報 ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki

巻 54, p. 53-57, 発行日 2025-10-29
出版者
出版者 宮崎大学工学部
言語 ja
出版者
出版者 Faculty of Engineering, University of Miyazaki
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 05404924
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.1 2025-12-02 07:49:48.613827
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