| アイテムタイプ |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2025-12-03 |
| タイトル |
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タイトル |
電圧印加下での光ヘテロダイン光熱変位測定によるSi ナノピラー/SiGe 複合膜のキャリア再結合 |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Carrier Recombination in Si-Nanopillar/SiGe Composite Films by Laser Heterodyne Photothermal Displacement Measurements under Applied Voltage |
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言語 |
en |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Carrier Recombination |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Si-nanopillar |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Non-contact method |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Non-destructive method |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34481/0002001941 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
| 著者 |
宇野, 巧人
原田, 知季
大堀, 大介
遠藤, 和彦
寒川, 誠二
福山, 敦彦
WEKO
7289
e-Rad_Researcher
10264368
| ja |
福山, 敦彦
宮崎大学
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| ja-Kana |
フクヤマ, アツヒコ
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| en |
Fukuyama, Atsuhiko
University of Miyazaki
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Search repository
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Thermal control of semiconductor devices is becoming more important as the number of integrated elements increases. Temperature rise in the channel region of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) reduces the electron mobility (μ) and adversely affects the reliability of semiconductor devices. The silicon-nanopillar
(Si-NP) array structure can suppress phonon diffusion without hindering electron transport because of its nanostructural peculiarity. However, carrier mobility in Si-NP/SiGe composite films was difficult to measure using conventional electrical. We established a laser heterodyne photothermal displacement (LH-PD) method and observed the effect of carrier behavior on the LH-PD signals with the applied voltage. The amount of displacement increased when voltage was applied, and the ratio of increase was smaller for the distance between the sidewalls of each NP (NP spacing) was of 27, 13, and 47 nm in that order. The reason for the smallest rate of displacement increases when the NP spacing of the Si-NP/SiGe composite film is 27 was presumed to be due to the low frequency of recombination, due to the long carrier lifetime, which causes carriers to move more easily and contribute less to nonradiative recombination. |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
ja : 宮崎大学工学部紀要
en : Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki
巻 54,
p. 47-52,
発行日 2025-10-29
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| 出版者 |
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出版者 |
宮崎大学工学部 |
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言語 |
ja |
| 出版者 |
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出版者 |
Faculty of Engineering, University of Miyazaki |
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言語 |
en |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
05404924 |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
本文 (1.4 MB)
