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  1. 工学部
  1. 工学部
  2. 学術雑誌掲載論文 (工学部)

Growth and structural evaluation of GaAsN/GaAs superlattice films with different N distributions grown by atomic layer epitaxy

http://hdl.handle.net/10458/0002001439
http://hdl.handle.net/10458/0002001439
44e1fc33-41c0-481f-a24c-3eb537bdf95c
アイテムタイプ 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2025-06-23
タイトル
タイトル Growth and structural evaluation of GaAsN/GaAs superlattice films with different N distributions grown by atomic layer epitaxy
言語 en
言語
言語 eng
キーワード
言語 en
キーワード atomic layer epitaxy
キーワード
言語 en
キーワード dilute nitride
キーワード
言語 en
キーワード GaAsN
キーワード
言語 en
キーワード X-ray diffraction
資源タイプ
資源タイプ journal article
アクセス権
アクセス権 metadata only access
著者 Koto, Hayato

× Koto, Hayato

en Koto, Hayato
University of Miyazaki

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Kawano, Masahiro

× Kawano, Masahiro

en Kawano, Masahiro
University of Miyazaki

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鈴木, 秀俊

× 鈴木, 秀俊

WEKO 14196
e-Rad_Researcher 00387854

ja 鈴木, 秀俊
宮崎大学

ja-Kana スズキ, ヒデトシ

en Suzuki, Hidetoshi
University of Miyazaki

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書誌情報 en : Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

巻 64, 号 4, p. 04SP36, 発行日 2025-04-14
出版者
出版者 IOP Publishing
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 00214922
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 13474065
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.35848/1347-4065/adc586
権利
権利情報 © 2025 The Japan Society of Applied Physics. All rights, including for text and data mining, AI training, and similar technologies, are reserved.
言語 en
著者版フラグ
出版タイプ NA
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Ver.1 2025-06-23 02:38:57.475740
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