WEKO3
アイテム
原子層エピタキシー法を用いたGaAsN薄膜中のN分布制御とその電気特性評価
http://hdl.handle.net/10458/0002000991
http://hdl.handle.net/10458/0002000991c1bcae14-deb7-4356-aed9-05437b249fe5
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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博士学位論文 (3.4 MB)
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学位論文の要旨 (120 KB)
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論文審査結果の要旨 (168 KB)
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| アイテムタイプ | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2025-03-24 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | 原子層エピタキシー法を用いたGaAsN薄膜中のN分布制御とその電気特性評価 | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||
| 著者 |
河野, 将大
× 河野, 将大
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| 内容記述 | ||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| 値 | 本論文に関連する発表論文 Kawano Masahiro, Haraguchi Tomohiro, Suzuki Hidetoshi. Electrical properties of GaAsN/GaAs-superlattice films with different N distributions fabricated by atomic layer epitaxy. Journal of Crystal Growth. 2025; 649:127915. doi: 10.1016/j.jcrysgro.2024.127915. |
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| 内容記述 | ||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| 値 | 本論文に関連する発表論文 Kawano Masahiro, Minematsu Ryo, Haraguchi Tomohiro, Fukuyama Atsuhiko, Suzuki Hidetoshi. Growth and evaluation of GaAsN films with different N distribution grown by atomic layer epitaxy method. Japanese Journal of Applied Physics. 2020; 59(SG):SGGF10. doi: 10.35848/1347-4065/ab7277. |
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| 学位名 | ||||||||||||
| 学位名 | 博士（工学） | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| 学位授与機関 | ||||||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||||||
| 学位授与機関識別子 | 17601 | |||||||||||
| 学位授与機関名 | 宮崎大学 | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||||||
| 学位授与年月日 | 2025-03-24 | |||||||||||
| 学位授与番号 | ||||||||||||
| 学位授与番号 | 農工総博甲第252号 | |||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
