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ラマン分光法による窒素分布の異なるGaAsN 薄膜のアニール効果
和田 季己
,
浅生 大輝
,
上田 大貴
,
河野 将大
,
前田 幸治
,
鈴木 秀俊
宮崎大學工學部紀要,48,75-78 (2019-07)
pdf
偏光ラマン測定によるGaAsN 薄膜の結晶性に及ぼすアニール処理の影響
和田 季己
,
橋本 英明
,
横山 祐貴
,
前田 幸治
,
鈴木 秀俊
宮崎大學工學部紀要,47,91-94 (2018-07)
pdf
原子層エピタキシー法によって作製されたGaAsN薄膜の作製条件の違いが結晶性に与える影響のラマン分光法による評価
橋本 英明
,
和田 季己
,
横山 祐貴
,
前田 幸治
,
鈴木 秀俊
宮崎大學工學部紀要,46,113-116 (2017-07-31)
pdf
原料ガス断続供給法を用いて異なる成長温度で作製した GaAs ナノワイヤの発光特性
仲川 豪志
,
前田 幸治
,
鈴木 秀俊
,
境 健太郎
宮崎大學工學部紀要,46,109-112 (2017-07-31)
pdf
GaAsN 薄膜の原子層エピタキシー成長におけるドーパンドSi 供給順序が電気特性に与える影響
堀切 将
,
横山 祐貴
,
鈴木 秀俊
,
碇 哲雄
,
福山 敦彦
宮崎大學工學部紀要,45,115-118 (2016-07-31)
pdf
ラマン分光法における励起光の侵入長を考慮した薄膜の評価方法
橋本 英明
,
山本 大貴
,
吉留 寛貴
,
横山 祐貴
,
前田 幸治
,
鈴木 秀俊
宮崎大學工學部紀要,45,87-89 (2016-07-31)
pdf
原料ガス断続供給法による Au を触媒とした GaAsナノワイヤの作製
上村 健二
,
仲川 豪志
,
前田 幸治
,
鈴木 秀俊
,
境 健太郎
宮崎大學工學部紀要,45,75-77 (2016-07-31)
pdf
InGaAs/GaAs(001)界面における成長初期過程の転位の X 線回折およびトポグラフ法を用いた観察
高比良 潤
,
小寺 大介
,
境 健太郎
,
前田 幸治
,
大下 祥雄
,
鈴木 秀俊
宮崎大學工學部紀要,44,71-75 (2015-07-31)
pdf
場所選択加工したSi 基板を用いたGaAs-NWs の成長
原田 一徹
,
河瀬 平雅
,
鈴木 秀俊
,
福山 敦彦
,
碇 哲雄
宮崎大學工學部紀要,44,5-8 (2015-07-31)
pdf
Microstructure of the nitrogen-induced localized state in GaAsN thin films grown by chemical beam epitaxy
福山 敦彦
,
丁 文
,
鈴木 章生
,
鈴木 秀俊
,
碇 哲雄
Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2014 IEEE 40th,1148-151 (2014-06)
The effects of indium pre-evaporation on rotational twin formation in GaAs films on Si(111)
鈴木 秀俊
,
伊東 大樹
,
芳賀 章博
,
福山 敦彦
,
碇 哲雄
Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2014 IEEE 40th,1830-1833 (2014-06)
Optical properties of Be-doped GaAs nanowires on Si substrate grown by a catalyst-free molecular beam epitaxy vapor-liquid-solid method
鈴木 章生
,
福山 敦彦
,
鈴木 秀俊
,
境 健太郎
,
碇 哲雄
Japanese Journal of Applied Physics,24(5S1),05FV03-5 (2014-05)
Effect of internal electric field on non-radiative carrier recombination in the strain-balanced InGaAs/GaAsP multiple quantum well solar cells
相原 健人
,
福山 敦彦
,
鈴木 秀俊
,
杉山 正和
,
中野 義昭
,
碇 哲雄
physica status solidi (a),211(2),444–448-444–448 (2014-02)
Effects of nitrogen precursor on the Au-assisted vapor–liquid–solid growth of GaAs(N) nanostructures
鈴木 秀俊
,
境 健太郎
,
原口 智宏
,
山内 俊浩
,
前田 幸治
,
碇 哲雄
Journal of Crystal Growth,386,100–106-100–106 (2014-01)
Nitrogen-induced localized level observed by photoreflectance in GaAsN thin films grown by chemical beam epitaxy
鈴木 秀俊
,
鈴木 章生
,
福山 敦彦
,
碇 哲雄
Journal of Crystal Growth,384,5-8 (2013-12)
Reduction of rotational twin formation by indium pre-evaporation in epitaxially grown GaAs films on Si (111) substrate
鈴木 秀俊
,
伊東 大樹
,
福山 敦彦
,
碇 哲雄
Journal of Crystal Growth,380,148-152 (2013-10)
原料供給シーケンスの違いが原子層エピタキシー法によるGaAsN薄膜成長に与える影響
芳賀 章博
,
貞任 萌
,
原口 智宏
,
鈴木 秀俊
,
福山 敦彦
,
尾関 雅志
,
碇 哲雄
宮崎大學工學部紀要,42,27-30 (2013-08-30)
pdf
Si(111)表面へのIII族供給によるGaAs薄膜中の回転双晶軽減
伊東 大樹
,
太刀掛 弘晃
,
鈴木 秀俊
,
福山 敦彦
,
碇 哲雄
宮崎大學工學部紀要,42,19-22 (2013-08-30)
pdf
逆格子マッピングによる成長初期のInGaAs/GaAs(001)界面のミスフィット転位の解析
松下 卓哉
,
高比良 潤
,
境 健太郎
,
前田 幸治
,
鈴木 秀俊
宮崎大學工學部紀要,42,85-88 (2013-08-30)
pdf
Effects of gas-flow sequences on the self-limiting mechanisms of GaAsN films grown by atomic layer epitaxy
鈴木 秀俊
,
貞任 萌
,
原口 智宏
,
山内 俊浩
,
尾関 雅志
,
碇 哲雄
Thin Solid Films,540,79-83 (2013-07)
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