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液滴エピタキシー成長GaAs量子ドットの二峰性サイズ分布によるフォトルミネッセンスピークエネルギー温度依存性への影響
宮内 雄大
,
中村 泰樹
,
川畑 公佑
,
間野 高明
,
野田 武司
,
碇 哲雄
,
福山 敦彦
宮崎大学工学部紀要,49,73-77 (2020-09)
pdf
液滴エピタキシー法により作製されたGaAs QDs のサイズが与えるフォトルミネッセンスの温度依存性への影響
江添 悠平
,
宮内 雄大
,
間野 高明
,
碇 哲雄
,
福山 敦彦
宮崎大學工學部紀要,48,51-54 (2019-07)
pdf
非発光再結合検出による歪緩和層挿入超格子構造太陽電池のキャリア輸送評価
岩永 凌平
,
中村 翼
,
渡部 愛理
,
安藝 翼
,
杉山 正和
,
碇 哲雄
,
福山 敦彦
宮崎大學工學部紀要,48,45-49 (2019-07)
pdf
歪補償InGaAs/GaAsP 超格子太陽電池のGaAsP 障壁層のP 組成変化がキャリア輸送特性に及ぼす影響評価
岩永 凌平
,
中村 翼
,
安藝 翼
,
渡部 愛理
,
杉山 正和
,
碇 哲雄
,
福山 敦彦
宮崎大學工學部紀要,48,41-44 (2019-07)
pdf
集光照射によるSi およびGaAs 基板のHall 移動度変化と太陽電池特性への影響
松田 真輝
,
立神 秀弥
,
髙内 健二郎
,
碇 哲雄
,
西岡 賢祐
,
福山 敦彦
宮崎大學工學部紀要,47,73-76 (2018-07)
pdf
n-およびp-Si 基板のライフタイムと光照射時のキャリアタイプの反転による太陽電池特性への影響
髙内 健二郎
,
立神 秀弥
,
松田 真輝
,
碇 哲雄
,
西岡 賢祐
,
福山 敦彦
宮崎大學工學部紀要,47,73-76 (2018-07)
pdf
SPV 法を用いた GaAs 歪緩和層挿入 InGaAs/GaAsP系量子井戸太陽電池のキャリア輸送評価
武田 秀明
,
中村 翼
,
魯 家男
,
杉山 正和
,
碇 哲雄
,
福山 敦彦
宮崎大學工學部紀要,46,89-94 (2017-07-31)
pdf
液滴エピタキシー法により作製したGaAs QDs の発光再結合特性
岩元 杏里
,
石塚 史典
,
大堀 大介
,
間野 高明
,
碇 哲雄
,
福山 敦彦
宮崎大學工學部紀要,46,85-88 (2017-07-31)
pdf
擬似太陽光照射による単結晶 Siのキャリア移動度の変化と太陽電池特性への影響
徳田 直樹
,
立神 秀弥
,
李 垚
,
碇 哲雄
,
西岡 賢祐
,
福山 敦彦
宮崎大學工學部紀要,45,111-113 (2017-07-31)
pdf
擬似太陽光照射による単結晶Si のキャリア移動度変化と太陽電池特性への影響
立神 秀弥
,
德田 直樹
,
高内 健二郎
,
碇 哲雄
,
西岡 賢祐
,
福山 敦彦
宮崎大學工學部紀要,46,95-99 (2016-07-31)
pdf
InGaAs/GaAsP系量子井戸太陽電池におけるミニバンド形成過程とその光学的評価
松落 高輝
,
中村 翼
,
武田 秀明
,
杉山 正和
,
中野 義昭
,
碇 哲雄
,
福山 敦彦
宮崎大學工學部紀要,45,119-123 (2016-07-31)
pdf
GaAsN 薄膜の原子層エピタキシー成長におけるドーパンドSi 供給順序が電気特性に与える影響
堀切 将
,
横山 祐貴
,
鈴木 秀俊
,
碇 哲雄
,
福山 敦彦
宮崎大學工學部紀要,45,115-118 (2016-07-31)
pdf
フォトルミネッセンス法による加工 Si 基板上半極性 (1-101) 面 GaN薄膜の発光再結合特性評価
杉原 圭二
,
中野 真理菜
,
岩元 杏里
,
大堀 大介
,
本田 善央
,
天野 浩
,
碇 哲雄
,
福山 敦彦
宮崎大學工學部紀要,45,105-109 (2016-07-31)
pdf
場所選択加工したSi 基板を用いたGaAs-NWs の成長
原田 一徹
,
河瀬 平雅
,
鈴木 秀俊
,
福山 敦彦
,
碇 哲雄
宮崎大學工學部紀要,44,5-8 (2015-07-31)
pdf
温度変化I-V 測定によるAlGaAs/GaAs 単一量子井戸からのキャリア熱脱出過程の評価
村上 匠
,
倉留 弘憲
,
杉本 泰士
,
相原 健人
,
福山 敦彦
,
碇 哲雄
宮崎大學工學部紀要,44,1-4 (2015-07-31)
pdf
量子井戸太陽電池におけるキャリアの非発光再結合および輸送特性
杉本 泰士
,
相原 健人
,
杉山 正和
,
中野 義昭
,
福山 敦彦
,
碇 哲雄
宮崎大學工學部紀要,43,17-20 (2014-07-31)
pdf
Microstructure of the nitrogen-induced localized state in GaAsN thin films grown by chemical beam epitaxy
福山 敦彦
,
丁 文
,
鈴木 章生
,
鈴木 秀俊
,
碇 哲雄
Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2014 IEEE 40th,1148-151 (2014-06)
The effects of indium pre-evaporation on rotational twin formation in GaAs films on Si(111)
鈴木 秀俊
,
伊東 大樹
,
芳賀 章博
,
福山 敦彦
,
碇 哲雄
Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2014 IEEE 40th,1830-1833 (2014-06)
Optical properties of Be-doped GaAs nanowires on Si substrate grown by a catalyst-free molecular beam epitaxy vapor-liquid-solid method
鈴木 章生
,
福山 敦彦
,
鈴木 秀俊
,
境 健太郎
,
碇 哲雄
Japanese Journal of Applied Physics,24(5S1),05FV03-5 (2014-05)
Effect of internal electric field on non-radiative carrier recombination in the strain-balanced InGaAs/GaAsP multiple quantum well solar cells
相原 健人
,
福山 敦彦
,
鈴木 秀俊
,
杉山 正和
,
中野 義昭
,
碇 哲雄
physica status solidi (a),211(2),444–448-444–448 (2014-02)
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