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Impurity levels in layer semiconductor p-GaSe doped with Mn
http://hdl.handle.net/10458/5305
http://hdl.handle.net/10458/5305cf3e037c-c42b-4d0a-8d33-a4f4566d5b72
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Impurity levels in layer semiconductor p-GaSe doped with Mn | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | Deep level transient spectroscopy, Doping, Impurity levels, Valence bands, Conduction bands | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄× 中島, 寛× 中島, 寛 |
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| 書誌情報 |
Journal of Applied Physics 巻 76, 号 1, p. 310-314, 発行日 1994-07-01 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00218979 | |||||
