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Photoluminescence Spectra of n-GaSe Layered Semiconductor Doped with Sn
http://hdl.handle.net/10458/5301
http://hdl.handle.net/10458/5301eff5016d-1a44-4686-b3f4-0caae94127dc
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Photoluminescence Spectra of n-GaSe Layered Semiconductor Doped with Sn | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄× 中島, 寛× 中島, 寛 |
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| 書誌情報 |
Japanese Journal of Applied Physics 巻 35, 号 8, p. 4291-4292, 発行日 1996-08 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Japan Society of Applied Physics | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 応用物理学会 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00214922 | |||||
