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Electrical Properties of p- and n-GaSe Doped with As and Ge
http://hdl.handle.net/10458/5252
http://hdl.handle.net/10458/52527717d7bc-795f-4ae1-8510-339a065e2866
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Electrical Properties of p- and n-GaSe Doped with As and Ge | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄× 中島, 寛× 中島, 寛 |
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| 書誌情報 |
Japanese Journal of Applied Physics 巻 39, 号 9A, p. 5083-5084, 発行日 2000-09 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Japan Society of Applied Physics | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 応用物理学会 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00214922 | |||||
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Cite as
Shigetomi, Shigeru, 碇, 哲雄, 中島, 寛, 中島, 寛, 2000, Electrical Properties of p- and n-GaSe Doped with As and Ge: 応用物理学会, 5083–5084 p.
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