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Electron and hole trap levels in semi-insulating GaAs investigated by a temperature variation of piezoelectric photo-thermal spectra
http://hdl.handle.net/10458/5168
http://hdl.handle.net/10458/5168f1aa56ba-f498-4d25-b660-9da07bdbcda3
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Electron and hole trap levels in semi-insulating GaAs investigated by a temperature variation of piezoelectric photo-thermal spectra | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | Piezoelectric photo-thermal (PPT) measurement, Temperature variation of PPT signal intensity, Semi-insulating GaAs, Deep level, Rate equation, EL2 | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
伊藤, 敦史
× 伊藤, 敦史× 佐藤, 庄一郎× 多田, 晋× 田中, 秀司× 福山, 敦彦× 碇, 哲雄× Ito, Atsushi× Sato, Shoichiro× 多田, 晋× Tanaka, Shuji |
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| 書誌情報 |
Materials Science and Engineering: B 巻 102, 号 1-3, p. 22–24-22–24, 発行日 2003-09 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Elsevier | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 09215107 | |||||
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Cite as
伊藤, 敦史, 佐藤, 庄一郎, 多田, 晋, 田中, 秀司, 福山, 敦彦, 碇, 哲雄, Ito, Atsushi, Sato, Shoichiro, 多田, 晋, Tanaka, Shuji, 2003, Electron and hole trap levels in semi-insulating GaAs investigated by a temperature variation of piezoelectric photo-thermal spectra: Elsevier, 22–24-22–24 p.
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