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Optical and Electrical Characteristics of Layered Semiconductor p-InSe Doped with Sb
http://hdl.handle.net/10458/5164
http://hdl.handle.net/10458/5164e57d671d-2513-4591-a39e-0df0c0117364
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Optical and Electrical Characteristics of Layered Semiconductor p-InSe Doped with Sb | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄 |
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| 書誌情報 |
Japanese Journal of Applied Physics 巻 42, 号 11, p. 6951-6954, 発行日 2003-11 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | The Japan Society of Applied Physics | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 応用物理学会 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00214922 | |||||
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Cite as
Shigetomi, Shigeru, 碇, 哲雄, 2003, Optical and Electrical Characteristics of Layered Semiconductor p-InSe Doped with Sb: 応用物理学会, 6951–6954 p.
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