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Impurity levels in layered semiconductor GaS doped with Cu
http://hdl.handle.net/10458/5134
http://hdl.handle.net/10458/513455aed488-8aac-4ab4-b923-9e10f66333d0
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Impurity levels in layered semiconductor GaS doped with Cu | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 境, 健太郎× 碇, 哲雄 |
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| 書誌情報 |
Japanese Journal of Applied Physics 巻 44, 号 3, p. 1306-1309, 発行日 2005-03 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | The Japan Society of Applied Physics | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 応用物理学会 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00214922 | |||||
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Cite as
Shigetomi, Shigeru, 境, 健太郎, 碇, 哲雄, 2005, Impurity levels in layered semiconductor GaS doped with Cu: 応用物理学会, 1306–1309 p.
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