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Radiative transitions of layered semiconductor GaS doped with P
http://hdl.handle.net/10458/5121
http://hdl.handle.net/10458/5121a4b1c39d-874a-444a-8c34-22d77f9f7d81
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Radiative transitions of layered semiconductor GaS doped with P | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | Layered semiconductor, GaS, Impurity level, P impurity, Photoluminescence | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄 |
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| 書誌情報 |
Journal of Luminescence 巻 118, 号 1, p. 106-110, 発行日 2006-05 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Elsevier | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00222313 | |||||
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Cite as
Shigetomi, Shigeru, 碇, 哲雄, 2006, Radiative transitions of layered semiconductor GaS doped with P: Elsevier, 106–110 p.
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