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アイテム
Radiative centers in layered semiconductor GaS doped with Zn
http://hdl.handle.net/10458/5097
http://hdl.handle.net/10458/5097976c6891-c71f-4f14-a221-ac38fc9a3343
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-06-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Radiative centers in layered semiconductor GaS doped with Zn | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| キーワード | Layered semiconductor, Impurity levels, Photoluminescence | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| 著者 |
重冨, 茂
× 重冨, 茂× 碇, 哲雄 |
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| 書誌情報 |
Journal of Luminescence 巻 113, 号 1-2, p. 137-142, 発行日 2005-05 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Elsevier | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00222313 | |||||
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Cite as
Shigetomi, Shigeru, 碇, 哲雄, 2005, Radiative centers in layered semiconductor GaS doped with Zn: Elsevier, 137–142 p.
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